W66BM6NBUAFJ TR
Номер детали производителя | W66BM6NBUAFJ TR |
---|---|
производитель | Winbond Electronics |
Подробное описание | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Упаковка | 200-WFBGA (10x14.5) |
В наличии | 16285 pcs |
Техническая спецификация | Declaration on California Proposition 65 |
Справочная цена (В долларах США)
2500 |
---|
$2.172 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Winbond Electronics.У нас есть кусочки 16285 Winbond Electronics W66BM6NBUAFJ TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
Поставщик Упаковка устройства | 200-WFBGA (10x14.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 200-WFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 2Gbit |
Организация памяти | 128M x 16 |
Интерфейс памяти | LVSTL_11 |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 1.6 GHz |
Базовый номер продукта | W66BM6 |
Время доступа | 3.5 ns |
Рекомендуемые продукты
-
W66BL6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TE350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BM6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W6672TJ320
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -IXYS -
W66BL6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics